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 Gegenüberstellung der Transistorgrundschaltungen 

  Emitter - Schaltung Kollektor - Schaltung Basis - Schaltung
 
wechselstrommäßig
auf Masse
Emitter  Eingang=Basis
    Ausgang=Kollektor
Kollektor  Eingang=Basis
    Ausgang=Emitter
Basis  Eingang=Emitter
    Ausgang=Kollektor
Werte des Arbeitspunktes UB = 12V ; IC = 2mA
UCE = 6V ; UBE = 0,62V
wie vorher, damit
Vergleich möglich
wie vorher, damit
Vergleich möglich
Spannungsverstärkung
vu = u2 / u1
vu = ß * rausg / reing ~ 183 vu ~ 1 wegen 100%iger
Stromgegenkopplung
vu = ß * rausg / reing ~ 173
ähnlich der Emitterschaltung
Stromverstärkung
vi = i2 / i1
vi = iC / iB = ß  =>  280 vi = ß   =>  280 vi ~ ß / (1+ß)  ~  1
Leistungsverstärkung
vp = vu * vi
= 183 * 280 ~ 51000 vp = 1 * ß = ß = 280 vp = vu * vi ~ 173
Phasendrehung 180°
Wechselstromeingangs-
widerstand reing
RV || rBE ~ rBE ~ 4kΩ RV || (rBE + ß * RE) ~ 398kΩ RE || rBE / ß ~ 13Ω
Wechselstromausgangs-
widerstand rausg
RA || rCE = 3k || 20k ~ 2,6kΩ RA || (rBE + Rgen / ß) ~ 13Ω RA || rCE ~ 2,7k || 20k ~ 2,5kΩ
ähnlich Emitterschaltung
Übersteuerungs-
festigkeit
nein, weil schon ~ 60mVss zur max. Aussteuerung führen 100% übersteuerungsfest, weil U1 = U2 = 12Vss nein, weil schon ~ 60mVss zur max. Aussteuerung führen
Anwendung Standard - Verstärker Impedanzwandler = Trennverstärker für hochohmige Eingangssignale HF-Verstärker, weil diese zur Anpassung niedrigen reing brauchen
Besonderes mittlerer reing 4kΩ und mittlerer rausg 2,6kΩ hochohmiger reing z.B. 400kΩ
niederohmiger rausg z.B. 13Ω
kleiner reing : 50Ω - 75Ω - 100Ω
mittlerer rausg z.B. 2,5kΩ


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